【摘 要】
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论文根据高等电磁理论详细分析了CMOS螺旋电感的损耗机理，并借助三维电磁场仿真工具HFSS对电感的结构参数建立模型和仿真；其次，用ADS仿真软件对螺旋电感的单π电路模型做了改进并采用带校正因子的公式算法对电感作优化设计.仿真结果表面该校正公式在1～3GHz内电感的频率响应幅度最大相对误差为1.67％，相位最大误差为5.025°.
【机 构】
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Institute of Electromagnetics,Southwest Jiaotong University,Chengdu 610031,China
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论文根据高等电磁理论详细分析了CMOS螺旋电感的损耗机理，并借助三维电磁场仿真工具HFSS对电感的结构参数建立模型和仿真；其次，用ADS仿真软件对螺旋电感的单π电路模型做了改进并采用带校正因子的公式算法对电感作优化设计.仿真结果表面该校正公式在1～3GHz内电感的频率响应幅度最大相对误差为1.67％，相位最大误差为5.025°.
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