【摘 要】
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本论文介绍了一种新型InP基宽光谱高速光探测器,入射光波长在850nm到1550nm范围内都有很好的高速特性.通过在顶部外延层采用带隙较高的材料In0.52Al0.48As的方法解决了传统In
【出 处】
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2016信息通信网技术业务发展研讨会
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本论文介绍了一种新型InP基宽光谱高速光探测器,入射光波长在850nm到1550nm范围内都有很好的高速特性.通过在顶部外延层采用带隙较高的材料In0.52Al0.48As的方法解决了传统InP基光探测器工作在短波长时由于顶部InP层严重的表面复合现象导致的带宽和响应度急剧下降的问题.理论和仿真的结果显示:在反偏电压为3V的条件下,有源区面积为20μm2的器件的3dB带宽在850nm、13lOnm和1550nm波长入射光时分别达到62.5GHz、61.7GHz和60.3GHz,对应的响应度分别为0.459A/W、0.517A/W和0.41A/W.
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