基于n-ZnO/n-GaN同型异质结的电致发光器件研究

来源 :第十三届全国固体薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ztlzp

【摘要】

：

利用射频磁控溅射技术制备了n-ZnO/n-GaN 同型异质结发光器件，器件的EL 谱显示其在370nm 左右有一个较强的紫外发射峰，器件的阈值电压为3.0 V.在此基础上，利用MgO 作为插入层，制备了n-ZnO/i-MgO/n-GaN 结构器件，得到了更强的紫外发射和更低的阈值电压(2.5 V).在700℃下，空气环境中对n-ZnO/n-GaN 结构器件进行1 小时的退火处理，实现了正偏压下发射

【作者】

：

王皓宁方国家龙浩莫小明黄晖辉李颂战

【机构】

：

武汉大学物理科学与技术学院,湖北武汉 430072

【出处】

：

第十三届全国固体薄膜学术会议

【发表日期】

：

2012年5期

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