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单源真空共蒸发在玻璃衬底上制备CuInS2薄膜。用X射线衍射仪(XRD)对薄膜的相结构进行表征，研究不同Cu、In、S元素配比、不同热处理条件对薄膜的结构、导电类型的影响。XRD分析给出：最有效的S的原子配比为X=1.2，可得到黄铜矿结构的CuInS2薄膜，沿(112)晶向择优生长。实验结果显示：合理改变热处理条件，可获得不同导电类型的CuInS2薄膜，同样用Cu：In：S=1：0.1：1.2原子比混合沉积的薄膜，通过400℃热处理20 min，CuInS2薄膜的导电类型为p型;升高温度到440℃，进行热处理10 min，则得到n型CuInS2薄膜。