【摘 要】
：
MLCC制成交流瓷介电容器相对困难,我们希望用制成圆片瓷介电容器的单层被银瓷片制成片式交流瓷介电容器以满足市场需要.于是开发设计了将陶瓷芯片夹于上下两连体扁平引线中间
【出 处】
：
中国电子学会第十五届电子元件学术年会
论文部分内容阅读
MLCC制成交流瓷介电容器相对困难,我们希望用制成圆片瓷介电容器的单层被银瓷片制成片式交流瓷介电容器以满足市场需要.于是开发设计了将陶瓷芯片夹于上下两连体扁平引线中间并焊接后,再模塑环氧封装,然后分割切开连体引线,使切开后的扁平引线向内折弯平贴在外壳表面(C型)或者扁平引线向外折弯与外壳表面平行(Y型),得到了仍是用单层被银瓷片制成的片式塑封型交流瓷介电容器,该产品比MLCC交流瓷介电容器的制造更容易,其可靠性更高,且适用于SMT.
其他文献
重庆楼市地震加重观望心理5月12日四川汶川大地震,距汶川500多公里的重庆也有较强烈震感,虽然没有对重庆造成多大的危害,却进一步加重了重庆楼市的观望心理。对于购房者来说,
脉冲干扰是数字电视系统中很常见的干扰,由于其随机性,对脉冲干扰的建模比较困难。脉冲干扰主要有两个模型:GAWGN和G2AWGN。G2AWGN模型的原理在理论上比GAWGN模型更能真实地
DC/DC变换器在现代航天系统的应用中是随处可见的.本文阐述了应用于航天领域的能满足所有控制和逻辑标准功能的厚膜混合集成DC/DC变换器,该变换器对于航天应用来说,在尺寸、
研究了Al2O3掺杂对ZnO-ySiO2陶瓷的烧结特性、相组成及介电性能的影响.结果表明:掺杂Al203的ZnO-SiO2陶瓷主晶相为Zn2SiO4,并有锌尖晶石ZnAl204第2相生成.掺杂Al203可使ZnO-S
以硝酸钇、硝酸镁、正硅酸乙酯为前驱体,利用溶胶-凝胶法制备出平均粒径40.2nm的Y3MgxSiO6.5+x(x＝0.5,1.0,1.5,2.0,2.5,3.0)粉体,将其添加到水热BaTiO3基料中制备出多层陶瓷电
基于对人类环境的保护和发展环境友好材料与电子产品的要求,近年来国际和国内兴起了无铅压电陶瓷的研究与开发热潮.本文系统介绍了目前无铅压电陶瓷研究与发展概况及存在的主
用传统的固相反应法制备了无铅压电陶瓷(Na0.48-xK0.48-xLi0.04Srx)Nb0.89,Ta0.05Sb0.06O3(简写为NKLSrxNST),并且研究了其结构和性能.X射线衍射图谱表明x≤0.02时为四方相钙
本文将Cu2Ta4O12作为一种新型的助烧剂材料,通过普通陶瓷制备工艺,合成了具有低介电损耗、高Qm值的(Na0.5K0.5)NbO3+xmo1％Cu2Ta4O12 无铅压电陶瓷材料体系,并且研究了Cu2Ta4O1
研究了PMNZT陶瓷在力电耦合载荷下电滞回线的动态变化过程.当外加压应力与沿极化方向一致时,电滞回线随压应力的增加而不断沿顺时针方向转动,回线的面积逐渐减小;剩余极化强
有人认为欲减肥的人应尽量少吃饭多吃菜。近日台湾医界人士对这一理论提出不同看法，认为多吃菜少吃饭不科学，想减肥保持体形，必须要吃碳水化合物食物。因为人的饱食感主要来自于