论文部分内容阅读
随着微电子技术的发展，尤其是铁电薄膜制备技术的发展，新型不挥发非破坏性读出存储器ＭＦＩＳ研究近年来受到人们普遍关注。制备ＭＦＩＳ存储器的铁电薄一般选用抗疲劳特性好的ＳＢＴ铁电薄膜，介质层一般选用ＺｒＯ〈，２〉作为阻挡层，以克服电荷注入效应，改进器件的性能。在ＭＦＩＳ的研制中，对ＳＢＴ薄膜和ＺｒＯ〈，２〉薄膜的刻蚀是关键工艺之一。该文研究了用反应离子刻蚀方法，以ＳＦ〈，６〉和Ａｒ作为反应气体刻蚀ＳＢＴ及ＺｒＯ〈，２〉的技术，对不同条件下ＳＢＴ和ＺｒＯ〈，２〉的技术，对不同条件下ＳＢＴ和ＺｒＯ〈，２〉的刻蚀速率进行了实验研究和讨论、分析。得到了形成ＳＢＴ及ＺｒＯ〈，２〉的优化工艺条件。