【摘 要】
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通过MOCVD系统在c面蓝宝石衬底上生长了5个周期的琥珀色InGaN/GaN多量子阱。应用高分辨x射线衍射仪、原子力显微镜、PL谱研究了InGaN/GaN多量子阱样品的结构和光学特性。(002)面高精x射线衍射ω/2θ扫描显示卫星峰达到了第四级，表明样品界面结构质量较好。从AFM中可观察到样品表面的量子点状结构，平均粗糙度较大。PL谱展示了样品的双峰结构，峰值波长分别为579nm和434nm。这分
【机 构】
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南京大学物理系,江苏省光电功能材料重点实验室,南京,210093
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通过MOCVD系统在c面蓝宝石衬底上生长了5个周期的琥珀色InGaN/GaN多量子阱。应用高分辨x射线衍射仪、原子力显微镜、PL谱研究了InGaN/GaN多量子阱样品的结构和光学特性。(002)面高精x射线衍射ω/2θ扫描显示卫星峰达到了第四级，表明样品界面结构质量较好。从AFM中可观察到样品表面的量子点状结构，平均粗糙度较大。PL谱展示了样品的双峰结构，峰值波长分别为579nm和434nm。这分别对应于阱层中的富IN纳米点和基质区域。
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透明导电薄膜的厚度制约其光电性质.本研究利用磁控溅射技术制备了厚度变化范围为200-1500nm的ITO薄膜，探索了薄膜颜色、可见光透过率、面电阻与膜厚的关系.薄膜颜色随着膜厚的增加呈现有规律的变化，可见光透过率随薄膜厚度的增加而呈现振荡下降趋势，并出现了极大值(紫红色)，振荡趋势可用多光束干涉解释；薄膜面电阻随膜厚的增加呈减小趋势，薄膜厚度为1387nm时，面电阻为1.3Ω/□□，薄膜最小电阻率
本文采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)过程和旋涂技术,通过高温烧结,得到了Zn-Sn-O系统的氧化物薄膜.论文结合干凝胶的差示扫描热分析(TG-DSC)和薄膜的X射线衍射(XRD),研究了干凝胶在烧结过程中发生的反应以及经不同温度烧结后薄膜的晶相.通过控制溶胶中的组成含量和烧结温度,得到了较纯净的Zn2SnO4晶相薄膜和单一晶相的ZnSnO3薄膜.论文研究了N2气氛热处理对上述两种晶相薄膜电阻率的影
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