论文部分内容阅读
采用发射波长为980nm的InGaAs/GaAs应变量子阱，在垂直腔面发射结构中共设计生长3组、每组3个量子阱，形成9个量子阱的周期性增益结构，并使每组均位于腔场极大处，以获得最好的增益匹配。为提高激光器的输出功率及获得较好的光束质量，采用大台面直径和由衬底面出射激光的结构。每个单元器件的P面台面直径由400～600μm，经湿氮气氛下40 min的侧氧化后在有源区形成直径300～500μm的电流限制孔。而N面出光孔的直径仍为相应的400～600μm。在室温连续工作下器件的最大输出功率达到1.4W。随着注入电流的增大，观察到激光远场分布从空心圆环向中心单亮斑转化的过程。对不同温度下的激光输出特性进行了变温测试，在室温下有最低的激射阈值电流，激光波长随温度升高的漂移速率为0.06 nm/K，表现出较好的高温工作特性。