【摘 要】
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<正>一.辐射法测量硅的表面温度的意义对于直拉硅单晶生长过程中单晶内部的温度分布的深入了解和有效控制是控制直拉硅单晶中的位错和微缺陷的关键。为此首先必须建立可靠的分
【机 构】
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浙江大学硅材料科学国家重点实验室;
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<正>一.辐射法测量硅的表面温度的意义对于直拉硅单晶生长过程中单晶内部的温度分布的深入了解和有效控制是控制直拉硅单晶中的位错和微缺陷的关键。为此首先必须建立可靠的分析研究方法。采取以实验测量和数值计算相接合是解决这一问题的一个可行的途径,而采用这一思路首先要解决的关键问题是如何准确地实验测量直拉硅单晶生长过程中晶体的表面温度分布。
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