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SOI(绝缘体上硅)静态存储器与用传统体硅技术制造的SRAM有着不同的特性,在测试SOI SRAM时需要考虑其特有的故障模型。基于读写过程中影响比较显著的浮体效应和寄生双极管效应的讨论,分析了部分耗尽SOI SRAM的设计和测试考虑,并提出了相应的测试码。
SOI SRAM测试研究
【摘 要】
：
SOI(绝缘体上硅)静态存储器与用传统体硅技术制造的SRAM有着不同的特性,在测试SOI SRAM时需要考虑其特有的故障模型。基于读写过程中影响比较显著的浮体效应和寄生双极管效应
【机 构】
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江南大学信息工程学院 江苏无锡 214036
【出 处】
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中国电子学会第十二届全国青年学术年会
【发表日期】
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2006年期
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