在现代半导体工业中，由于光波长限制，传统光刻蚀技术在器件设计上逐渐达到其尺寸极限.近年来共聚物刻蚀法正成为一种克服传统刻蚀技术尺寸极限的简单且成本低廉的方法.2008年Science报道：二维离散六角晶格模板可以诱导共聚物大尺度有序结构.[1] 基于该实验背景，我们利用聚合物自洽场理论研究二维离散六角晶格模板诱导的嵌段共聚物自组装行为，理论计算得到的共聚物形貌图与实验扫描电镜图像一致.进一步我们研究了二维四方晶格诱导的嵌段共聚物大尺度有序结构.[2] 在极限情况下，共聚物形成的离散点阵可以将底板数据点的密度提高34倍.数据点密度的提高可以极大地降低现有半导体存储器件的刻蚀时间，进而降低制造成本.同时我们详细研究了晶格参数对于嵌段共聚物的有序形貌及其方向的影响，给出了共聚物有序结构随着晶格参数变化的相图.该结果对于提升现有半导体器件的性能，尤其是提高超高密度存储器件的存储容量有重要意义.