【摘 要】
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介绍一种制作无铬光刻掩模的简易方法,即用光刻胶膜层直接作为掩蔽层在透明基片上制作光刻掩模.其基本原理是利用光刻胶对不同波长入射光的透过率不同的特性,选用对曝光波长透过率低的光刻胶直接制作光刻掩模.其制作方法是用普通匀胶机将选用的光刻胶按一定厚度均匀涂敷在透明基片上,再经曝光、显影等工艺制成有图形的光刻掩模.采用这种方法实际制作了KrF准分子激光光刻用的光刻胶掩模,并用于缩小投影光刻实验,做出了实验
【机 构】
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中国科学院光电技术研究所,微细加工光学技术国家重点实验室(成都)
【出 处】
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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介绍一种制作无铬光刻掩模的简易方法,即用光刻胶膜层直接作为掩蔽层在透明基片上制作光刻掩模.其基本原理是利用光刻胶对不同波长入射光的透过率不同的特性,选用对曝光波长透过率低的光刻胶直接制作光刻掩模.其制作方法是用普通匀胶机将选用的光刻胶按一定厚度均匀涂敷在透明基片上,再经曝光、显影等工艺制成有图形的光刻掩模.采用这种方法实际制作了KrF准分子激光光刻用的光刻胶掩模,并用于缩小投影光刻实验,做出了实验结果.
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