【摘 要】
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具有钙钛矿结构的BaTiO3(BT)基无铅压电陶瓷以其较优的电学性能备受研究者的关注.本工作选择A&B位共取代的(Ba0.95Ca0.05)(Ti0.94Zr/Sn0.06)O3压电陶瓷作为基础体系，以CuO作为烧结助剂并系统地研究了CuO含量对该无铅压电陶瓷的相结构、密度、微观形貌、介电性能、压电性能和铁电性能的影响规律.此外，利用压电力显微镜(PFM)探索了该陶瓷的电畴结构随CuO烧结助剂含量
【机 构】
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哈尔滨工业大学凝聚态科学与技术研究所,黑龙江省哈尔滨市,150080 哈尔滨工业大学凝聚态科学与技
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具有钙钛矿结构的BaTiO3(BT)基无铅压电陶瓷以其较优的电学性能备受研究者的关注.本工作选择A&B位共取代的(Ba0.95Ca0.05)(Ti0.94Zr/Sn0.06)O3压电陶瓷作为基础体系，以CuO作为烧结助剂并系统地研究了CuO含量对该无铅压电陶瓷的相结构、密度、微观形貌、介电性能、压电性能和铁电性能的影响规律.此外，利用压电力显微镜(PFM)探索了该陶瓷的电畴结构随CuO烧结助剂含量变化的影响规律.
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近年,GaN 基LED 因具有寿命长、无辐射与低功耗等优良特性,在显示、背光源和白光照明等方面具有广阔的应用前景1.但GaN 基LED 的发光效率比较低,特别是在高驱动电流下存在效率下降(Efficiency Droop)的现象,这成为发展高效率、大功率照明技术的枢纽瓶颈.因此,如何抑制高驱动电流下的Efficiency Droop 已成为科学家们研究的一个重点.
巨介电材料在微电子器件及高密度存储应用方面的巨大潜力使其受到研究者们越来越多的关注.Hu等人采用传统的固相烧结工艺制备的(Nb0.5In0.5)xTi1-xO3陶瓷获得了目前文献报道中最为优异的介电性能：巨介电常数(ε＞104,1000 Hz)和低介电损耗(tanδ=0.05,1000 Hz).但是由于In元素价格比较昂贵,导致陶瓷制备成本较高,不利于工业化生产.
Recently high-Curie point relaxor ferroelectric single crystals,represented by the Pb(Mg1/3Nb2/3)O3–Pb(In1/2Nb1/2)O3-PbTiO3(PMN-PIN-PT)and(1-x)Pb(In1/2Nb1/2)O3–xPbTiO3(PINT,PINTx),attracted much atten
利用脉冲激光沉积的方法生长了一系列铌掺杂浓度的外延钛酸钡薄膜BaTi1-xNbxO3,(0≤x≤0.5)(以下简称BTNO),并首先通过对其形貌和结构的表征保证BTNO薄膜的高外延质量.不同掺杂浓度的BTNO薄膜电阻率随温度变化呈现出不同的变化趋势,反映出随着掺杂浓度的不同,导电机制也发生了由半导体导电到金属性导电的转变,实现对BTO材料从绝缘体到半导体甚至到金属性导电的可靠调控.通过对BTNO薄
利用脉冲激光沉积技术,我们在TiO2为终结面的SrTiO3衬底上外延了ReAlO3(Re=La,Nd,Sm and Gd)钙钛矿薄膜。研究结果表明,ReAlO3/SrTiO3异质界面的二维输运特性与ReAlO3薄膜中的稀土元素种类,即化学应力情况,密切相关。电子能量损失谱(EELS)测试表明,在所有这四种极性/非极性异质结构中都发生了电荷迁移的情况,但SmAlO3/SrTiO3与GdAlO3/Sr
我们详细研究了过渡金属氧化物Sr3NiTa2O9的结构、比热、磁性和铁电性行为.研究结果表明Sr3NiTa2O9是自旋S=1的三角反铁磁体系,具有弱的轴各向异性.在零磁场下,可以观测到两个连续的磁相变TN1=3.35K和TN2=2.74K,分别对应着up-up-down(uud)和120°自旋序.随着磁场的增加,两个相变温度都会向低温偏移,伴随着120°自旋结构向normal oblique相转变
(BST)基介电陶瓷材料是陶瓷电容器的常用介电材料,在BaTiO3(BT)中掺杂适量的SrTiO3将会大大提高介电常数,改善陶瓷的介电性能.然而,纯BST和BT陶瓷的介电常数随温度发生较大的变化,很难满足一些高档电子整机的要求.为了研制高温度稳定特性和较高介电常数的电容器陶瓷材料,必须对BST陶瓷材料进行掺杂改性1.本实验采用传统固相反应法,利用阻抗分析仪等方法系统研究了CuO掺杂量对(Ba0.5
考虑了任意两个粒子的相互作用，我们得到了长程相互作用复杂系统的内能表达式。基于等概率原理，我们还得到了对应最概然几率分布函数及其他几个重要的统计物理关系。特别需要说明的是，这里得到的几率分布函数和各类不同领域长程相互作用复杂系统发现的几率分布函数一致。另外我们发现长程相互作用复杂系统的性质非常依赖于系统的相互作用系数和粒子数。
0.4(Ba0.8Ca0.2)(1-x)La2x/3TiO3–0.6Bi(Mg0.5Ti0.5)O3(x = 0.00,0.15,0.30)ceramics were prepared by a conventional mixed oxide route.Crystal structure of the ceramics was determined using XRD.Dielectric c
钛酸钡(BaTiO3)是一种十分传统以及重要的钙钛矿型铁电体，在居里温度(130℃)以下具有铁电性，钛酸钡因其优良的特性而一直备受关注，成为研究热点。近年来，将钛酸钡薄膜作为中间介质层的阻变随机存储器(ReRAM)，受到了广泛的关注和研究，尤其是对于不同结构和制备条件下的RRAM阻变机制1的探讨十分热烈。