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近年来，基于金属/绝缘体/金属三明治结构的阻变存储器(RRAM)，其电阻可在外加电场作用下实现高阻态和低阻态之间可逆转换从而存储信息。由于RRAM具有结构简单、非破坏性读取、稳定的高低状态保留时间、响应速度快、尺寸伸缩性强并与传统CMOS工艺兼容等优点而被广泛关注。
基于活性金属Al电极对阻变行为调控的研究
【摘 要】
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近年来，基于金属/绝缘体/金属三明治结构的阻变存储器(RRAM)，其电阻可在外加电场作用下实现高阻态和低阻态之间可逆转换从而存储信息。由于RRAM具有结构简单、非破坏性读取
【机 构】
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四川省非金属复合与功能材料重点实验室
【出 处】
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第十六届全国电介质物理、材料与应用学术会议
【发表日期】
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2016年7期
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