【摘 要】
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本文介绍了1500V/270A全碳化硅集成功率模块.该模块包括了碳化硅MOSFET、碳化硅二极管、耐高温解耦电容.在模块设计上,首先针对模块散热,做了芯片数量的优化选择;其次,按照功
【机 构】
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浙江大学电气工程学院,浙江杭州,310007
【出 处】
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中国电工技术学会电力电子学会第十四届学术年会
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本文介绍了1500V/270A全碳化硅集成功率模块.该模块包括了碳化硅MOSFET、碳化硅二极管、耐高温解耦电容.在模块设计上,首先针对模块散热,做了芯片数量的优化选择;其次,按照功率回路尽可能小的原则,对电路布局做了一定的优化设计.室温环境下,该模块的导通电流能力达到了约270A.在20℃结温和VGS=25V时,漏源电流ID=270A,其正向压降约为2.5V.动态测试则表明,该模块有极快的开关速度.在500V/170A(190A)测试条件下,MOSFET漏源电压的下降和上升时间都为7.5ns左右.
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