【摘 要】
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RF射频溅射法制备c-BN薄膜,使用离子注入法将Be注入c-BN薄膜中进行掺杂,测量了掺杂前后c-BN薄膜的表面电阻率,并计算掺杂后c-BN薄膜激活能.c-BN薄膜利用射频溅射两步法制备而成,离子注入能量为190keV,注入剂量在10151016ions/cm2之间,薄膜在离子注入后经400～800℃退火,并在薄膜表面蒸镀2mm×5mm的铝电极,以测量其电学特性.实验结果表明:离子注入掺杂后的c-
【机 构】
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北京工业大学,应用数理学院,北京,100022 北京工业大学,材料学院,北京,100022
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RF射频溅射法制备c-BN薄膜,使用离子注入法将Be注入c-BN薄膜中进行掺杂,测量了掺杂前后c-BN薄膜的表面电阻率,并计算掺杂后c-BN薄膜激活能.c-BN薄膜利用射频溅射两步法制备而成,离子注入能量为190keV,注入剂量在10151016ions/cm2之间,薄膜在离子注入后经400～800℃退火,并在薄膜表面蒸镀2mm×5mm的铝电极,以测量其电学特性.实验结果表明:离子注入掺杂后的c-BN薄膜表面电阻率随着退火温度的升高和Be离子注入剂量的增大逐渐降低,薄膜表面电阻率比掺杂前下降了3～4个数量级.经计算得到掺杂后c-BN薄膜不同温度范围内激活能分别为0.54eV和0.32eV。
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概括总结了稀土超磁致伸缩材料的发展现状,着重介绍磁致伸缩材料的最新制备技术及当前应用器件开发,对GMM的市场需求及应用前景进行了分析展望。
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