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对含源区短路结构的宽槽间距ＲＭＯＳ器件，首次得出了甚增通电阻在相同工艺条件下是ＶＤＭＯＳ导通电阻四分之一的结论。同时，元胞结构的ＲＭＯＳ导通电阻又是条形ＲＭＯＳ的一半。源区短路ＲＭＯＳ具有明显的导通电阻优势。
源区短路RMOS器件的导通电阻优势研究
【摘 要】
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对含源区短路结构的宽槽间距ＲＭＯＳ器件，首次得出了甚增通电阻在相同工艺条件下是ＶＤＭＯＳ导通电阻四分之一的结论。同时，元胞结构的ＲＭＯＳ导通电阻又是条形ＲＭＯＳ的一半。源区短路ＲＭＯＳ具有明显的导通电阻优势
【机 构】
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科技大学微电子研究所
【出 处】
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第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
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1997年期
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