【摘 要】
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设计并实现了一种小型化、低成本的S波段低噪声放大器.该放大器选用价格低廉、可靠性较高的场效应管NE3210SO1(HJFET).与以往同类设计的不同之处是,为了实现LNA的小型化,采用
【机 构】
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中国电子科技集团公司第五十四研究所,河北 石家庄 050081
【出 处】
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第二十八届全国通信与信息技术学术年会
论文部分内容阅读
设计并实现了一种小型化、低成本的S波段低噪声放大器.该放大器选用价格低廉、可靠性较高的场效应管NE3210SO1(HJFET).与以往同类设计的不同之处是,为了实现LNA的小型化,采用了单电源白偏置方式实现直流偏置网络,既省去了负电源,又压缩了体积;对输出匹配电路进行多次曲折设计,采用场路联合仿真的设计方法以提高设计精度.研制的放大器电路在F0±50MHz的范围内增益为28 dB左右,噪声系数小于0.7 dB(前端增加隔离器测试),带内平坦度优于1 dB.
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