Si缓冲层的生长温度对SiGe组分、结构的影响

来源 :北京同步辐射装置2005年学术年会暨学术委员会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wangjie198811

【摘要】

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本文利用同步辐射X射线高分辨衍射、掠入射表面衍射、原子力显微镜、电子显微镜等手段研究了SiGe外延层的生长质量、组分与作为缓冲层Si的生长温度之间的关系.研究表明,在外

【作者】

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吴小山蔡宏灵翟章印蒋树声谭伟石吴忠华贾全杰郑鸿祥

【机构】

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南京大学固体微结构物理国家重点实验室微结构物理高等科学技术中心,南京大学物理系,南京,210093

【出处】

：

北京同步辐射装置2005年学术年会暨学术委员会

【发表日期】

：

2005年期

【关键词】

：

缓冲层生长温度组分结构原子力显微镜外延层质量表面粗糙度电子显微镜衍射外延薄膜同步辐射生长质量射线掠入射高分辨显示含量反射

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本文利用同步辐射X射线高分辨衍射、掠入射表面衍射、原子力显微镜、电子显微镜等手段研究了SiGe外延层的生长质量、组分与作为缓冲层Si的生长温度之间的关系.研究表明,在外延薄膜中Ge的含量为32±2﹪;当Si缓冲层生长温度在400-500℃范围内,SiGe外延层质量高,没有生长位错出现.X射线反射及原子力显微镜则显示对应最光滑的SiGe外延层表面的Si缓冲层的生长温度为450℃,相应的表面粗糙度仅为大约15(A).

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