【摘 要】
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本文研究了基板温度和水汽对直流磁控溅射法制备的IT0薄膜的光电特性的影响.IT0薄膜在低温成膜后,经过大气退火处理.通过降低成膜时反应腔体内的水汽分压或调节基板不同位置
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本文研究了基板温度和水汽对直流磁控溅射法制备的IT0薄膜的光电特性的影响.IT0薄膜在低温成膜后,经过大气退火处理.通过降低成膜时反应腔体内的水汽分压或调节基板不同位置的温度分布均获得了优质的IT0薄膜,膜厚为20nm时,方块电阻值可以低于120Ω/口,方块电阻值均一性低于10％,可见光透过率高于90％.
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