【摘 要】
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本论文介绍了一种制作BaTiO基晶界层陶瓷电容器的新工艺.利用非均相沉淀法,将Cu(OH)均匀包裹在BaTiO颗粒表面,在经高温煅烧得到CuO/BaTiO复合粉体.通过一次烧成方式制备晶界
【出 处】
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中国空间科学学会空间材料专业委员会2004学术交流会
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本论文介绍了一种制作BaTiO<,3>基晶界层陶瓷电容器的新工艺.利用非均相沉淀法,将Cu(OH)<,2>均匀包裹在BaTiO<,3>颗粒表面,在经高温煅烧得到CuO/BaTiO<,3>复合粉体.通过一次烧成方式制备晶界层电容器样品.利用差示扫描量热法(DSC)一热重(TG)分析技术对粉体进行热性能分析.采用XRD,SEM等分析手段对样品进行了表征.结果表明,采用非匀相共沉淀法获得的复合粉体中BaTiO<,3>和Cu(OH)<,2>或(CuO)两相之间的均匀分布.烧成样品的致密度显著影响晶界层电容器的介电常数和介质损耗.低频下BaTiO<,3>晶界层电容器的介电常数可以达到83000,这与样品独特的晶界层结构及不同频率下的极化方式有关.
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