【摘 要】
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本研究通过溅射Ag薄膜及热退火处理实现尺寸随机分布的Ag纳米颗粒自组装,而后采用干法刻蚀工艺获得微纳复合结构,具有明显的陷光增强效果。基于该结构制备硅异质结太阳电池的开路电压为611mV,转换效率为16.3%。
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室;光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071;天津化学化工协同创新中心,天津300072
【出 处】
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2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会
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本研究通过溅射Ag薄膜及热退火处理实现尺寸随机分布的Ag纳米颗粒自组装,而后采用干法刻蚀工艺获得微纳复合结构,具有明显的陷光增强效果。基于该结构制备硅异质结太阳电池的开路电压为611mV,转换效率为16.3%。
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