【摘 要】
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本文利用高分辨x射线衍射,光致发光(PL)谱技术研究了10MeV不同剂量(5×1016e/cm2和5×1017e/cm2)电子辐照对GaN光学性能的影响。实验结果表明,辐照后样品的带边峰显著下降,辐
【机 构】
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河北工业大学材科学院信息功能材料研究所,天津300130
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文利用高分辨x射线衍射,光致发光(PL)谱技术研究了10MeV不同剂量(5×1016e/cm2和5×1017e/cm2)电子辐照对GaN光学性能的影响。实验结果表明,辐照后样品的带边峰显著下降,辐照使样品晶格内形成比较稳定的缺陷结构,退火并不能有效改善样品的光学性能。低剂量辐照样品的蓝光带和黄光带几乎不受退火的影响;高剂量辐照样品中产生点缺陷复合体的浓度较大,在800℃退火后,黄光带的强度变弱,与VGa点缺陷复合体分解有关,蓝光带在600℃退火后迅速下降,800℃退火后,由于空穴脱离深能级缺陷达到价带发生淬灭现象。
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