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本文报道了用MBE方法,在ZnCdTe衬底上制备低位错HgCdTe薄膜的研究结果,对如何评价,统计位错密度进行了探讨.
采用ZnCdTe衬底的HgCdTe分子束外延
【摘 要】
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本文报道了用MBE方法,在ZnCdTe衬底上制备低位错HgCdTe薄膜的研究结果,对如何评价,统计位错密度进行了探讨.
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所,半导体材料与器件研究中心及国家物理红外实验室
【出 处】
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第六届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
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2001年8期
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