掺杂氧化钇的ZnO非线性电阻片电性能和微观结构特征

来源 :中国电工技术学会电工陶瓷专业委员会2006 年学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：li9599

【摘要】

：

本文研究了含不同氧化钇量ZnO 压敏电阻片的电位梯度,方波容量,和U5kA/U1mA 压比等电气性能.随着氧化钇含量的增加,电位梯度持续增加(最高达到367v/mm),当氧化钇的含量为0.3-

【作者】

：

马军王玉平

【机构】

：

西安电瓷研究所,西安,710077

【出处】

：

中国电工技术学会电工陶瓷专业委员会2006 年学术年会

【发表日期】

：

2006年10期

【关键词】

：

ZnO压敏电阻片电位梯度电气性能氧化钇非线性电阻片

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本文研究了含不同氧化钇量ZnO 压敏电阻片的电位梯度,方波容量,和U5kA/U1mA 压比等电气性能.随着氧化钇含量的增加,电位梯度持续增加(最高达到367v/mm),当氧化钇的含量为0.3-0.7mol％时,压比,方波容量性能最好(分别为1.65 和246J/cm3).同时分析了上述电性能特征形成在微观结构上的原因.通过能谱分析,X射线衍射分析确定了含钇晶间相的成分范围和主晶相化学组成比(Y1.5Sb0.5O3.5).

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