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InN作为三族氮化物中的窄带隙半导体极大地扩展了三族氮化物的带隙覆盖范围(0.63eV-6.2eV),而且InN的高电子迁移率和P型掺杂的实现使得其在电子器件中也有巨大的应用潜质.
InN光电导性质的研究
【摘 要】
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InN作为三族氮化物中的窄带隙半导体极大地扩展了三族氮化物的带隙覆盖范围(0.63eV-6.2eV),而且InN的高电子迁移率和P型掺杂的实现使得其在电子器件中也有巨大的应用潜质.
【机 构】
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北京大学物理学院,北京100871
【出 处】
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第十九届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2013年2期
其他文献
氧化物半导体具有较强的三阶非线性光学效应,其响应快速、损耗低的特性,在新型光电子器件的研制中有光明的前景[1].其中掺钴氧化锌具有高的居里温度,引起了人们在自旋电子器件方面对它的研究[2],有望成为新一代此光电耦合器件的载体.
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随着科技的发展,可再生能源有机太阳能电池越来越受到人们的重视.由于单分散给体-受体共轭共低聚物具有材料易合成,造价低,具有统一的化学结构[1][2]、分子长度可控等优点而受到广泛关注.
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非晶金属氧化物薄膜晶体管由于其优异的特性,在平板显示器领域拥有广阔的应用前景.本文采用脉冲激光沉积技术在热氧氧化后的p型Si衬底上制备InTiZnO半导体薄膜作为薄膜晶体管的有源层,进而成功制备了底栅顶接触的InTiZnO薄膜晶体管.
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