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对ＭＢＥ生长的Ｇｅｘ Ｓｉ〈，１－ｘ〉合金膜用Ｒａｍａｎ光谱分析了其中的组份和应力，发现较厚的ＧｅＳｉ膜应变较小，说明随着膜厚的增加，合金膜内厚子排列发生了弛豫。２０ｎｍ厚的Ｇｅ〈，０．４〉Ｓｉ〈，０．６〉样品经过ＲＨＴ处理（１０００℃ １０ｓｅｃ），应变减小为原始膜的１／４￣１／５。说明退火后膜几乎被完全弛豫，同时引入大量的穿通位错缺陷。用退火前后２０ｎｍ样品制做了ＧｅＳｉ／Ｓｉ异质结内光发射红外探测器件。在７７°ｋ下测量，退火前样品的异质结反向电阻达５００ｋΩ以上，而退火后样品只有１ｋΩ左右，根本无法在７７°ｋ下工作。他们提出的方法可以同时确定膜的Ｇｅ组份及膜内应力，方法是非破坏性的。