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提出了一种体二极管优化的VDMOS新结构。该新结构在传统VDMOS结构的基础上，于P型基区下方并紧靠P型基区处引入一个N+层。仿真结果表明，在相同的元胞尺寸下，该结构的导通电阻、反向恢复时间和反向恢复电流都比常规VDMOS结构的小。
一种体二极管优化的VDMOS新结构
【摘 要】
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提出了一种体二极管优化的VDMOS新结构。该新结构在传统VDMOS结构的基础上，于P型基区下方并紧靠P型基区处引入一个N+层。仿真结果表明，在相同的元胞尺寸下，该结构的导通电阻、反
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054
【出 处】
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四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会
【发表日期】
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2008年期
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