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超声辅助法低温制备CdS微球及其光学性能研究
【机 构】
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陕西科技大学712081
【出 处】
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第九届全国工程陶瓷学术年会
【发表日期】
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2009年4期
其他文献
添加不同长径比的β-Si3N4晶种,0.5MPa N2气氛保护,1800℃热压烧结制备了氮化硅陶瓷材料.利用XRD、SEM及TEM等手段,研究了氮化硅陶瓷显微结构.采用三点弯曲法测量材料的室温抗弯强度,采用单边切口梁法测量断裂韧性.考察了加入不同长径比晶种对材料显微结构和力学性能间关系.结果表明晶种的尺寸能够控制材料中β-Si3N4晶粒的生长和显微结构的均匀性.β晶种起始平均直径和长度较大,长径比