【摘 要】
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本文采用常规的工艺在40mm×40mm 的P 型单晶硅衬底上制备了太阳电池.由于我们的烧结炉的不稳定性而导致得到的填充因子参差不齐.这些电池的填充因子大致可以分为两组,他们分别对应于高填充因子和低填充因子.在光诱导镀之后,两组电池的填充因子达到了几乎一样的水平.测试结果表明高低填充因子与高低串联电阻一一对应,在光诱导镀之后两组电池的串联电阻都达到了很低的水平.利用扫描电镜(SEM)观测了电极下的微
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,北京市朝阳区北土城西路3 号 , 100029
【出 处】
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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
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本文采用常规的工艺在40mm×40mm 的P 型单晶硅衬底上制备了太阳电池.由于我们的烧结炉的不稳定性而导致得到的填充因子参差不齐.这些电池的填充因子大致可以分为两组,他们分别对应于高填充因子和低填充因子.在光诱导镀之后,两组电池的填充因子达到了几乎一样的水平.测试结果表明高低填充因子与高低串联电阻一一对应,在光诱导镀之后两组电池的串联电阻都达到了很低的水平.利用扫描电镜(SEM)观测了电极下的微观结构,解释了光诱导镀改善填充因子的原因.最后,文中还根据实验结果和文献报道对光诱导镀的优势及其应用前景作出了分析.
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分析了载荷测试中出现的层压件脱离边框导致组件失效的原因,并提出了一种改善和解决方案.
报告了一种低成本、高效率及长寿命的无框双玻晶体硅太阳电池组件,可替代有机材料背板组件,并重点说明了两者的差异,为该类型组件的设计、生产及系统安装提供参考.
目前用铸造多晶硅生产的晶体硅太阳电池的平均转换效率大多在16.5％左右,用其生产的组件效率则为14.8％左右.我们经过从硅料制造、太阳电池制制造、组件制造等多个方面共同努力,使类单晶铸造晶体硅太阳电池组件的效率达到16％以上.
本文通过对比目前市场上出现的光伏二极管的正反向特性,说明了光伏二极管选型中过分追求降低二极管的正向压降的危害,并尝试给出更科学的光伏二极管的选型标准.
以常见的72 片电池组件(12 片×6 串排列,156mm×156mm 电池)为研究对象,应用有限元仿真模拟软件,结合机械载荷试验,对比有框组件及无框组件两种结构形式,在同等载荷及安装条件下,玻璃的应力分布及形变,并对组件无框化设计进行初步的探讨.
本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备本征非晶硅薄膜.研究了非晶硅/晶体硅异质结(HIT)太阳电池中硅片表面钝化方法,分析了少数载流子寿命随本征层氢稀释率、辉光功率、以及H 等离子体处理时间的变化趋势,并从材料微结构的角度分析了钝化材料如何影响钝化效果.太阳电池中本征非晶硅层应厚度适中,保证电池同时具有高开路电压和填充因子.
本文报告我们对定向凝固生长多晶硅冷却过程中热应力演变与位错形成的分析,提出一种硅晶体中位错增殖累积的热力积分估算模型,并公开一种定向凝固生长多晶硅锭冷却过程的优化方案－它具有显著降低硅锭中位错密度,同时缩短工时、降低能耗和气耗的潜在优势.文中采用耦合了热场与应力应变场的数值计算模拟对该方案进行了分析验证.
本文通过实验发现生长钝化层之前使用HF 酸将硅片表面的氧化层充分漂洗掉对电池片电学性能的影响至关重要.同时,对比了SiN 膜和a-Si:H 膜对太阳能电池的钝化效果,发现a-Si:H 膜有利于提高电池的开路电压,但是和SiN 薄膜相比,短路电流有所下降,通过内量子效率发现,主要是由于非晶硅对短波光的吸收造成,同时降低了电池的效率.可见,非晶硅有利于太阳能电池的钝化,但是为了综合提高电池的性能,仍需
薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池是一种在硅衬底上采用硅薄膜工艺制备而成的高效晶体硅电池.日本三洋基于此开发的HIT 电池,转换效率已达到23.7％.本文从薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池的基本结构出发,具体分析影响太阳电池性能的诸多关键因素,包括异质结能带结构、界面态密度、透明导电电极接触势、以及各种重要的光学损失等,探讨制备高效薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池需要分层次解决的若干难点问题.
Al2O3 是一种带有负电荷的钝化材料,近年来随着原子层沉积技术的发展Al2O3 在高效晶硅电池钝化中的作用逐渐显现,成为近年来晶硅电池钝化技术研究的重要方向之一.由于采用原子层技术生长的Al2O3 对于n 型和p 型材料均具有良好的钝化作用,因此开展Al2O3 钝化在晶硅电池制备中的研究是开发高效晶硅电池的重要内容.本文采用原子层沉积(Atomic layer Deposition, ALD)工