【摘 要】
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采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术以蓝宝石为衬底在GaN膜上外延生长了厚度为120nm的In0.24Ga0.76N薄膜,并用自组织Ni颗粒作为掩膜结合电感耦合等离子体刻蚀(ICP)形成
【机 构】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米器件及相关材料研究部,苏州215125
【出 处】
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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
论文部分内容阅读
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术以蓝宝石为衬底在GaN膜上外延生长了厚度为120nm的In0.24Ga0.76N薄膜,并用自组织Ni颗粒作为掩膜结合电感耦合等离子体刻蚀(ICP)形成InGaN/GaN纳米柱.对于薄膜样品和纳米柱样品,在7～200K的测试温区内,InGaN层光致发光(PL)波长与温度的关系均表现出典型的"S"型变化.与薄膜相比,10K下纳米柱阵列InGaN层的发光强度增加了一倍,带边发射峰峰位出现红移.对所得数据进行Arrhenius拟合分析表明：纳米柱的形成发光使InGaN层的表面积增加为原来的1.5倍,高温下(70K以上)与表面相关的非辐射复合增加为原来的2倍,导致纳米柱样品发光的积分强度下降幅度更大；低温下表面复合被抑制,并且与In组分起伏相关的非辐射复合减少为原来的1/3.结果显示,应力会影响与In组分不均匀性相关的局域态,将薄膜样品刻蚀成纳米柱后,InGaN层应力释放会增加该局域态的有效局域深度,降低载流子的逃逸几率,提高局域激子的有效复合效率.
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