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在脉冲DT中子源场中,对CeF3闪烁体相对中子灵敏度进行了测量,测量结果表明:按脉冲DT中子引起的探测器输出电荷情况考虑,CeF3探测器的灵敏度比同体积的ST401低一个多量级;按脉冲DT中子引起的探测器脉冲电流输出峰值幅度考虑,CeF3探测器的灵敏度约是同体积的ST401的1/30。