功率MOS、IGBT单粒烧毁、栅穿效应模拟实验研究

来源 :第七届全国固体核径迹会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sun54965436
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建立了利用<’252>Cf裂片源,模拟空间重离子引起的单粒子烧毁、栅穿效应的实验方法和测试装置.开展了功率MOS器件、绝缘栅及极晶体管(IGBT)的单粒子烧毁、栅穿效应的模拟试验研究,给出了被试器件单粒子烧毁、栅穿效应的损伤阈值,以及随器件偏置的变化规律.
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