多晶发射极微波SiGe/Si HBT

来源 :第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zfk710867322

【摘要】

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本文介绍一种多晶发射极微波功率SiGe/Si HBT.该器件采用清华大学微电子学研究所拥有自主知识产权的SGE500 UVC/CVD设备,外延均匀Ge组分应变SiGe基区材料,在 5"圆片0.8umCMOS

【作者】

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张伟熊小义刘志弘许军付玉霞单一林刘爱华窦维治王玉东刘朋钱佩信

【机构】

：

清华大学微电子学研究所(北京)

【出处】

：

第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会

【发表日期】

：

2003年期

【关键词】

：

多晶发射极自主知识产权直流增益微电子学微波功率清华大学器件工艺线组分圆片外延设备材料

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本文介绍一种多晶发射极微波功率SiGe/Si HBT.该器件采用清华大学微电子学研究所拥有自主知识产权的SGE500 UVC/CVD设备,外延均匀Ge组分应变SiGe基区材料,在 5"圆片0.8umCMOS工艺线上,研制出的器件直流增益=50-300,Pcm=500mW,f<,T>为4-5GHZ.

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