【摘 要】
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本文采用WIN 0.15um GaAs pHEMT工艺,设计了一种Ka频段正交混频器单片。该正交混频器单片选用单栅极偏置，漏极混频，为提高LO-IF、RF-IF的隔离度，在中频输出端设计了LC低通滤
【机 构】
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电子科技大学物理电子学院 毫米波实验室,成都 610000
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本文采用WIN 0.15um GaAs pHEMT工艺,设计了一种Ka频段正交混频器单片。该正交混频器单片选用单栅极偏置，漏极混频，为提高LO-IF、RF-IF的隔离度，在中频输出端设计了LC低通滤波器。芯片的仿真变频损耗在RF频率在30GHz到40GHz间，2GHz的IF中频输出时，每路变频损耗低于-3.5dB，相位不平度低于0.2°。芯片的尺寸仅为1.84mm×1.67mm。
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