【摘 要】
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本文研究了物理气相传输方法(PVT)生长的SiC晶体缺陷.SiC晶体在熔融KOH腐蚀后,用光学显微镜和扫描电镜进行观察发现了新缺陷,包括4H-SiC晶体中的三角形腐蚀坑、浅六角形腐蚀坑和具有枝晶结构的硅包裹物.具有枝晶结构硅包裹物的尺寸可达数微米.在同一籽晶上生长,同一生长面上会得到具有不同极性面的6H和4H-SiC晶体.6HC和4H-SiC的多型晶界是诱导产生微管的因素之一.
【机 构】
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中国科学院物理研究所,北京市603信箱,100080
【出 处】
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华北地区硅酸盐学会第八届学术技术交流会
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本文研究了物理气相传输方法(PVT)生长的SiC晶体缺陷.SiC晶体在熔融KOH腐蚀后,用光学显微镜和扫描电镜进行观察发现了新缺陷,包括4H-SiC晶体中的三角形腐蚀坑、浅六角形腐蚀坑和具有枝晶结构的硅包裹物.具有枝晶结构硅包裹物的尺寸可达数微米.在同一籽晶上生长,同一生长面上会得到具有不同极性面的6H和4H-SiC晶体.6HC和4H-SiC的多型晶界是诱导产生微管的因素之一.
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