【摘 要】
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微弧氧化膜层的孔径、孔隙率、生长方向、厚度、粗糙度等直接影响膜层的热控性能(αs-太阳吸收比,εH-半球发射率).本文通过控制微弧氧化电源输出模式、起始脉冲电压、阶梯电压、终止电压、氧化时间、溶液温度等技术参数,控制微弧氧化膜层的择优生长取向、孔径、孔隙率、粗糙度等微观结构；通过目视法对膜层外观及均匀性进行了检测；通过拉带试验对膜层与基体的结合力进行了检测；通过太阳吸收比测试仪及半球发射率测试仪对
【机 构】
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北京卫星制造厂,北京 100190
【出 处】
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第十届全国表面工程大会暨第六届全国青年表面工程论坛
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微弧氧化膜层的孔径、孔隙率、生长方向、厚度、粗糙度等直接影响膜层的热控性能(αs-太阳吸收比,εH-半球发射率).本文通过控制微弧氧化电源输出模式、起始脉冲电压、阶梯电压、终止电压、氧化时间、溶液温度等技术参数,控制微弧氧化膜层的择优生长取向、孔径、孔隙率、粗糙度等微观结构；通过目视法对膜层外观及均匀性进行了检测；通过拉带试验对膜层与基体的结合力进行了检测；通过太阳吸收比测试仪及半球发射率测试仪对膜层的αs及εH进行了测试.试验结果表明：特定技术参数条件下的膜层均匀细致,与基体结合力良好,膜层的太阳吸收比αs≤0.40,半球发射率εH≥0.85.膜层各项性能均满足宇航产品技术指标要求.
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