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对于铁电隧道结而言,大的ON/OFF 开关比有利于提高信号的输出水平,从而可以更清楚地区分两个逻辑阻态.这对于铁电隧道结投入实际应用和提高使用寿命有着至关重要的意义.本文采用射频磁控溅射法在硅基衬底上制备了传统的复合铁电隧道结Pt/STO/BTO/Pt 与具有量子阱结构的铁电隧道结Pt/STO/Pt/BTO/Pt.与传统的复合铁电隧道结相比,具有量子阱结构的铁电隧道结具有以下特征:出现明显的电阻反转;在电压为4V 时,ON/OFF 开关比可达到4 个数量级.我们认为量子阱结构铁电隧道结ON/OFF 开关比的提高与共振隧穿效应有关.