【摘 要】
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The wide band gap of boron nitride(BN)materials has been a main bottleneck for their wide applications in electronics.In this work,by means of comprehensive
【机 构】
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College of Chemistry and Materials Science,Jiangsu Key Laboratory of Biofunctional Materials,Nanjing
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The wide band gap of boron nitride(BN)materials has been a main bottleneck for their wide applications in electronics.In this work,by means of comprehensive density functional theory(DFT)computations,we demonstrated that the band gaps of BN nanoribbons(BNNRs),with either zigzag or armchair edges,can be significantly reduced by C2H termination.The neighboring C2H terminal groups of BNNRs can covalently connect with each other,forming infinite carbon chains along the edges.The newly formed carbon chains introduce conjugated states,which contribute to the band gap reduction of BNNRs.C2H termination can also result in higher carrier mobility for BNNRs.This simple strategy offers great opportunities for developing BNNRs based electronic devices.
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