【摘 要】
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Over the last decades,researchers have shown remarkable interests in oxides dilute magnetic semiconductors(ODMS)due to their applications in spintronic devices by utilizing both charge and spin [1].
【机 构】
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Department of Electronics and Tianjin Key laboratory of Photo-Electronic Thin film Device and Techno
【出 处】
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中国物理学会2013年秋季学术会议
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Over the last decades,researchers have shown remarkable interests in oxides dilute magnetic semiconductors(ODMS)due to their applications in spintronic devices by utilizing both charge and spin [1].
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The clustering and magnetic coupling of doped transition metals(TMs=V,Cr,Fe,Co,and Ni)in zinc-blende(ZB)hosts of ZnTe,CdTe,and MnTe were investigated by VASP with GGA+U approach.
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利用脉冲激光沉积技术在蓝宝石上衬底上交替沉积了ZnS/(CdS/ZnS)n(n=2,4,8),通过结构、形貌分析,100℃低温沉积的超晶格结构为六方相结构,其中ZnS和CdS层的厚度分别为30纳米和60纳米,透光率超过85％。
由于AlGaN/GaN/AlGaN 多层异质结构较AlxGa1-xN/GaN 单异质结构具有更高的二维电子气(2DEG)浓度和迁移率[1,2],而且非对称AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN 异质结构又与实际的高迁移率晶体管(HEMT)最为接近而广泛应用于HEMT 器件中。
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