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高Al组分AlGaN材料作为新一代半导体材料,在深紫外的光谱响应具备传输信息密度高,传输速度快的特点,可满足现代高速和大容量信息传输和存储的发展需求,且具有高电子漂移速度、高热导性、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等突出优点,成为制备紫外短波长半导体发光和探测器件不可替代的材料体系.
高Al组分AlGaN深紫外光子学结构材料生长
【摘 要】
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高Al组分AlGaN材料作为新一代半导体材料,在深紫外的光谱响应具备传输信息密度高,传输速度快的特点,可满足现代高速和大容量信息传输和存储的发展需求,且具有高电子漂移速度、高热导性、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等突出优点,成为制备紫外短波长半导体发光和探测器件不可替代的材料体系.
【机 构】
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厦门大学物理与机电工程学院,物理系,厦门361005
【出 处】
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第13届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
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2014年2期
其他文献
设计了一种GaN-A1GaN-GaN的特殊势垒结构,并将这种特殊势垒结构来替代传统的InGaN发光二极管的最后一个GaN势垒.研究发现含有这种特殊势垒结构的LED在不使用传统的电子阻挡层的情况下,有更好的光电特性.其开启电压从3.39 V下降为2.98 V,更重要的是其效率衰减从30.1％下降为14.2％.
会议
GaN based LEDs and HEMTs have been widely used for SSL and base-station applications, respectively.They enable dramatic energy savings compared to currently-used incandescent bulbs, fluorescent lamps
会议
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会议
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会议
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会议
随着信息技术向推动人类社会在健康、环境、安全、新价值深入发展的新技术范畴发展,传统CMOS技术不能满足所有信息系统在现实世界的各种不同需求,如无线电频率和移动电话,高压开关与模拟电路非数字的功能,汽车电子和电池充电器、传感器和执行器,至关重要的控制汽车运动的安全系统电路,这些新的电子应用领域需要发展新型功能器件与异质融合技术.
会议
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Building energy-efficient and eco-friendly electronics on the mature silicon platform fueling the ever increasing demand of speed and functionality from mobile devices to data center systems has been
会议
表面等离激元(SP)是金属/介质界面上金属电子的集体振荡模式.美国加州理工的Okamoto等人报道了在LED表面的适当距离上蒸镀金属薄膜,得到了17倍光致发光(PL)的增强[1].一般地认为,SP提供了LED非辐射复合能量辐射出射的通道,而这样的通道将有效提高绿光LED及大注入条件下的LED发光效率.
会议
本报告介绍在InGaN/GaN MQWs LED中的一种新奇的波长和内量子效率关系.与传统结构相比,我们在生长每一层InGaN量子阱之前预沉积In原子.常温光致荧光谱(PL)显示随着预沉积时间的增加,LED波长向长波长方向移动;高分辨X射线衍射(HRXRD)数据表明新结构量子阱中的厚度几乎没有发生变化,但其In组分有稍微的增加,并且其晶体质量得到改善.
会议