【摘 要】
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利用金属有机物化学气相沉积系统(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)在n 型SiC 衬底上外延生长AlN 薄膜,厚度约为100 nm.AlN 外延薄膜有非掺杂本征材料和S
【机 构】
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中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心,北京,100083
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利用金属有机物化学气相沉积系统(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)在n 型SiC 衬底上外延生长AlN 薄膜,厚度约为100 nm.AlN 外延薄膜有非掺杂本征材料和Si 掺杂n 型材料两种.在样品的上表面放置由Au薄膜构成的阳极平板,放入真空度为2×10-5 Pa 的腔室内.利用Keithley 6430 源表对AlN 样品施加电压,同时测量阳极收集到的电子发射电流,获得两种不同掺杂情况的AlN 样品的电子发射密度随电场强度的变化曲线如图所示.本征AlN 样品和Si 掺杂AlN 样品的开启电场分别为14.9 V/μm 和6.7V/μm.对Si 掺杂AlN 样品,测量到的最大场发射电流密度为154 mA/cm2,远大于本征AlN 样品,并与国际报道的AlN 薄膜的最大场发射电流密度值在同一量级.
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