多孔Ti/BDD电极的制备条件探索

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<正>众所周知,高质量的掺硼金刚石(BDD)薄膜具有较宽的电化学窗口,较低的背景电流以及较强的抗腐蚀性,这使得它在电分析、电解氧化等方面都有着广泛的应用。BDD薄膜一般被沉积在平板Si,Ta,Nb,W,Ti和其他金属或半导体基体上,这些BDD电极已经被广泛研究和应用。但是如果我们可以制备出多孔BDD电极,那么将可能制备具有高比表面积的多孔BDD电极,提高电流效率。钛基体是良好的电极基体材料,导电性好,机械强度高,价格低。多孔钛具有较大的表面积,然而BDD薄膜在多孔钛上沉积是
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