【摘 要】
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MgZnO合金薄膜以其优异的光电特性,如较大的可调带隙(3.3 eV至7.8 eV)1,较高的电子和漂移速率,较强的抗辐照能力等,在紫外光电探测领域受到越来越多的关注.通过对异质外延爱冲层的优化设计以及各生长参数的合理配置,目前MgZnO合金的组分调节已经克服固溶度和相限制,可以达到全波段的要求.虽然MgZnO合金薄膜在单晶生长方面已经取得了令人振奋的果2,但是目前薄膜的电学性质无法得到调控仍是制
【机 构】
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发光学及应用国家重点实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春130024
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MgZnO合金薄膜以其优异的光电特性,如较大的可调带隙(3.3 eV至7.8 eV)1,较高的电子和漂移速率,较强的抗辐照能力等,在紫外光电探测领域受到越来越多的关注.通过对异质外延爱冲层的优化设计以及各生长参数的合理配置,目前MgZnO合金的组分调节已经克服固溶度和相限制,可以达到全波段的要求.虽然MgZnO合金薄膜在单晶生长方面已经取得了令人振奋的果2,但是目前薄膜的电学性质无法得到调控仍是制约着以此为材料基础的紫外探测器件进一步发的不利因素.
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我们采用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长AlGaN基p-i-n结构的日盲紫外探测器,其具体结构为p-Al0.4Ga0.6N/i-Al0.4Ga0.6N/n-Al0.6Ga0.4N异质结.我们分别对该探测器在正照射和背照射条件下的性能进行了测试,并将测试结果进行比较,比较结果发现:背照射模式下该日盲紫外探测器的响应度是正照射模式下响应度的三倍;背照射模式对该日盲紫外探测器的侧峰响应有明显的抑制作用,
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太阳能电池可以有效地将太阳光能转换为电能,并为人类提供新型清洁能源.太阳能电池未来发展所面临的核心问题是提高太阳能电池的转换效率和降低成本.提高照射到太阳能电池表面的太阳辐射能流密度,拓宽太阳光谱利用波段范围是解决这两个问题的主要途径.
本文研究了不同等效Al组分的AlN/GaN超晶格缓冲层结构对Si衬底上GaN外延材料(图la)特性的影响.其中超晶格中的等效Al组分被定义为Al％=dAlN/(dAlN+dGaN)× 100％.我们通过改变AlN或者GaN的厚度,成功获得了不同等效Al组分超晶格的Si衬底上GaN外延材料样品(A1％范围10％～30％).
红外探测技术是红外光电技术的核心,其研究进展决定一个国家红外光电技术的发展水平.众所周知,工作在1～2.6μm的近红外探测器件,在军用、民用及航空航天等领域都具有重要的应用价值和前景.InGaAs探测器是近年来最具发展前景的近红外探测器,而探测范围窄和较高暗电流是制约其发展和应用的主要问题.
InP背孔技术是实现高性能W波段InP MMIC的核心技术,电路的内匹配、散热等问题可以由背孔技术获得完美的解决方案[1].背孔作为芯片顶层器件和金属地的连接部分,主要起电连接作用,同时背孔接地,并起到良好的热传导作用,为器件和电路提供良好的散热通路.
InP基无源光波导器件广泛用于大规模光子集成回路,InP基阵列波导光栅作为复用/解复用器件有重要实用意义[1].我们设计并在实验室制备了用于单片集成的13通道,、中心波长1549.32nm、信道间隔200GHZ的InP基阵列波导光栅(AWG).
本实验采用LP-MOCVD技术在蓝宝石衬底上制备ZnO薄膜,考察了外延生长温度对ZnO薄膜光学质量的影响,着重研究了ZnO薄膜中缺陷的形成机制.三个样品都表现出主宰的紫外光发射,长波方向的深能级发光变化很不明显.考虑到不同生长温度下样品薄膜的厚度差异以及生长热动力学对ZnO形貌与取向性的影响,我们将三个样品的PL谱进行归一化处理,来观察不同外延温度下薄膜样品中深能级发光的差异,进而评判与温度相关的
具有纳米柱形貌的ZnO外延膜在器件领域有其独特应用.对于半导体器件,电注入是一关键问题.由于微观结构上的特殊性,这样的薄膜在电荷传输传导上将有别于传统薄膜.在本工作中,我们拟对具有纳米柱结构的ZnO外延薄膜的电学特性进行研究,对退火前后的样品进行了变温Hall测试.
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