硅元表面污染物的TOF-SIMS检测

来源 :中国质谱学会无机质谱、同位素质谱、质谱仪器和教育学专业委员会学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jinmeng79
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静态飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)是通过分析一次离子轰击样品表面而溅射出来的二次离子,从而获得样品表面各元素、同位素、化合物组分等信息。TOF-SIMS能同时进行无机元素和有机物的分析,具有极高的灵敏度、高分辨率,检测限为109个原子每平方厘米。当今TOF-SIMS应用涉及到化学、生物学和物理学等领域,在微电子材料、纳米材料、红外材料、生物医学等领域的研究中也起着重要作用。在国内,TOF-SIMS已经用于分析煤、大气颗粒物等。本工作利用TOF-SIMS对硅元表面的污染物进行了检测。
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