【摘 要】
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本文选用SIMOX(Separation by Implantation of Oxygen)衬底材料,对全耗尽SOI CMOS工艺进行研究,开发出了N+多晶硅栅全耗尽SOI CMOS器件及电路工艺,经过投片,获得了性能良好
【出 处】
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第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会
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本文选用SIMOX(Separation by Implantation of Oxygen)衬底材料,对全耗尽SOI CMOS工艺进行研究,开发出了N+多晶硅栅全耗尽SOI CMOS器件及电路工艺,经过投片,获得了性能良好的器件和电路.nMOS和pMOS的驱动电流都比较大,且漏电流很小,其中pMOS为埋沟器件,驱动电流得到了进一步的提高,在工作电压为3V时,1.2μm101级环振的单级延迟仅为59ps.
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