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电子辐照直拉硅单晶后，将在硅片内产生大量的辐照缺陷。本文利用四探针、付立叶红外吸收光谱仪(FTIR)和金相显微镜研究了硅中辐照缺陷的热行为，发现样品在氢气氛下经750℃退火后电阻率呈现下降趋势。硅中的辐照缺陷在此温度下俘获了大量的间隙原子，形成施主态的缺陷-氧复合体，这些复合体在4小时后达到饱和，长时间退火后单晶硅中的辐照缺陷能够促进氧沉淀的形成。