【摘 要】
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利用非平衡磁控溅射技术制备类金刚石薄膜时,在放电气体中引入含-CH3原子团的甲烷气体,即采用反应磁控溅射技术得到含氢DLC薄膜,实验系统如图1所示。对反应气体流量进行工艺
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利用非平衡磁控溅射技术制备类金刚石薄膜时,在放电气体中引入含-CH3原子团的甲烷气体,即采用反应磁控溅射技术得到含氢DLC薄膜,实验系统如图1所示。对反应气体流量进行工艺优化后,薄膜沉积速率可提高到3.8nm/min;氢元素的加入使得折射率、消光系数降低,其中消光系数的变化比较明显,减小一个数量级,详见图2;在1064nm处,采用典型制备工艺参数,含氢DLC薄膜复折射率可到达1.7032～i0.0041,根据CH4气体流量的不同,复折射率小范围上下变动;相同厚度的DLC薄膜,在3-5mm波段,反应气体的加入使得峰值透过率增高15%。
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