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运用高分辨透射电子显微镜分析GaN／GaAs异质微观结构。观察到立方相外延层GaN中存在看大量的、不对称的面缺陷（层错和微孪晶）。并对其生成的原因进行了讨论
GaN／GaAs异质结构中大密度面缺陷的分析
【摘 要】
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运用高分辨透射电子显微镜分析GaN／GaAs异质微观结构。观察到立方相外延层GaN中存在看大量的、不对称的面缺陷（层错和微孪晶）。并对其生成的原因进行了讨论
【机 构】
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科学院半导体研究所半导体材料科学实验室(北京)
【出 处】
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第六届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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1998年期
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