【摘 要】
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利用射频为13.56MHz的等离子体化学气相沉积(PECVD)设备,通过对电池的本征和N型纳米硅薄膜的制备工艺以及电池背电极的烧结工艺参数优化,制备出结构为Al栅极/ITO/N-nc-Si:H/I
【机 构】
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北京航空航天大学物理科学与核能工程学院;
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2008AA05Z424)
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利用射频为13.56MHz的等离子体化学气相沉积(PECVD)设备,通过对电池的本征和N型纳米硅薄膜的制备工艺以及电池背电极的烧结工艺参数优化,制备出结构为Al栅极/ITO/N-nc-Si:H/I/P-c-Si/Al背电极异质结太阳电池。利用SEM,Raman,XRD等测试方法,对电池的膜层性能分析,结果表明:电池的本征膜层纳米硅晶粒在2～3nm之间,光学带隙在1.55～2.01eV之间变化可调;掺杂膜层的室温电导率优于3×10~1S/cm;背电极烧结完全达到硅铝共熔,形成良好的硅铝合金区。面积为20mm×20mm的电池开路电压达到532mV,短路电流达到116mA。
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